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外部量子效率eqe的測(cè)試方法與步驟

更新時(shí)間:2022-04-25      點(diǎn)擊次數(shù):1576
  外部量子效率eqe(nint)是一個(gè)微觀過(guò)程復(fù)合載流子產(chǎn)生的光子數(shù)與復(fù)合載流子總數(shù)之比。因?yàn)闊o(wú)法去計(jì)數(shù)復(fù)合載流子總數(shù)和產(chǎn)生的光子總數(shù)。因此一般是通過(guò)測(cè)量LED輸出的光功率來(lái)評(píng)價(jià)這一效率。直接躍遷過(guò)程比間接躍遷過(guò)程簡(jiǎn)單,其外部量子效率取決于少數(shù)載流子的輻射復(fù)合與非輻射復(fù)合的壽命。提高外量子效率主要在于提高材料的純度、完整性和改進(jìn)PN結(jié)制作工藝的特性,以降低非輻射復(fù)合中心的濃度。
  外部量子效率eqe的測(cè)試方法與步驟:
  (1)將待測(cè)CCD芯片和標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器,以及它們各自的驅(qū)動(dòng)電路放置在暗室中,并調(diào)節(jié)測(cè)量系統(tǒng)各部分儀器的參數(shù)。打開光源的開關(guān),使電流保證在8.4到8.6安,打開單色儀開關(guān),打開皮安表開關(guān)和移動(dòng)位移臺(tái)的開關(guān)。
  (2)通過(guò)上位機(jī)程序控制待測(cè)CCD芯片電子快門,調(diào)整CCD芯片的積分時(shí)間來(lái)控制CCD芯片的曝光時(shí)間和曝光量。(一般調(diào)好不用管)
  (3)調(diào)節(jié)移動(dòng)位移臺(tái),將標(biāo)準(zhǔn)件調(diào)到和激光光斑重合處(目前大約41500)。
  (4)記錄皮安表的數(shù)值,查表,找出對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)的數(shù)值,用皮安表的數(shù)值除以查表得出的值,得出功率值。(正好皮安對(duì)皮瓦)
  (5)蓋住CCD相機(jī)的鏡頭,在CCD上位軟件上,連接設(shè)備,連續(xù)采圖,設(shè)置參數(shù)中輸入對(duì)應(yīng)波長(zhǎng),功率值后。再單擊量子效率,完成暗圖像的采集。
  (6)調(diào)節(jié)移動(dòng)位移臺(tái),將CCD工業(yè)相機(jī)調(diào)到激光光斑重合處,(目前大約是回到原點(diǎn))。
  (7)揭開CCD的鏡頭,讓激光光斑打到CCD上,在設(shè)置參數(shù)中輸入對(duì)應(yīng)波長(zhǎng),功率值后,亮圖上打上對(duì)勾。再單擊量子效率,完成亮圖像的采集。
  (8)記錄量子效率的值。
  (9)在單色儀的上位軟件里,設(shè)定對(duì)應(yīng)波長(zhǎng),波長(zhǎng)從400nm-780nm。設(shè)置起始波長(zhǎng)為400nm,每隔20nm,重復(fù)(3)到(8)步驟測(cè)一次量子效率的值。直到780nm為止。
  (10)繪制量子效率的曲線。
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